本产品具有三种功能：等离子体刻蚀(PE)、反应离子刻蚀(RIE)、感应耦合等离子体刻蚀(ICP)。其刻蚀原理不尽相同，既有纯化学的，也有物理与化学相结合的模式。它既可以进行细线条（纳米）加工，又可以进行体加工。

本设备具有选择比好，刻蚀速度快、重复性好等特点，它较RIE具有更好的综合刻蚀效果且应用范围更广。可刻蚀的材料主要有Poly-Si、Si、SiO、SiN、W、Mo、GaN、GaAs等。

本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机械、新材料、能源等领域的器件研发和制造。

型号	ICP-2B/3B
真空系统	分子泵机组
刻蚀室数量	单室
样片尺寸	5英寸、8英寸
刻蚀材料	Poly-Si、Si、SiO、SiN、W、Mo、GaN、GaAs、Al等
刻蚀速率	0.1～2μ/min（与刻蚀材料和工艺有关）
刻蚀不均匀性	≤±5%
深硅刻蚀控制单元	可选
控制方式	手动