本产品具有三种功能：等离子体刻蚀(PE)、反应离子刻蚀(RIE)、感应耦合等离子体刻蚀(ICP)。其刻蚀原理不尽相同，既有纯化学的，也有物理与化学相结合的模式。它既可以进行细线条（纳米级）加工，又可以进行体加工。

本设备具有选择比好，刻蚀速度快、重复性好等特点，它较RIE具有更好的综合刻蚀效果且应用范围更广。可刻蚀的材料主要有Poly-Si、Si、SiO、SiN、W、Mo、GaN、GaAs等。

本产品是全自动化设备，产品通过对真空系统、工作压强、功率加载、射频电源匹配、气体流量及工艺过程的全自动控制，使工艺重复性、稳定性、可靠性得到有效保证，并能精确地控制图形的剖面，从而获得好的刻蚀效果。

本产品通过软、硬件相互配合的互锁、智能监控、在线状态记忆、断点保护等设计，结合各种硬保护装置、使设备的安全性、可靠性得到有效保证。

本设备的数字化参数界面和自动化操作方式为用户提供了优良的研发和生产平台。

本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机械、新材料、能源等领域的器件研发和制造。

本产品非常适合于科研院所、大专院校、小型生产企业的科研、教学与生产活动。

型号	ICP-501/801
真空系统	分子泵机组
刻蚀室数量	单室
样片尺寸	5英寸、8英寸
刻蚀材料	Poly-Si、Si、SiO、SiN、W、Mo、GaN、GaAs、Al等
刻蚀速率	0.1～2μ/min（与刻蚀材料和工艺有关）
刻蚀不均匀性	≤±5%
深硅刻蚀控制单元	可选
自动化程度	真空系统、压强控制、功率加载、射频电源匹配、气体流量、工艺过程自动化
人机界面	Windows环境、触摸屏操作
操作方式	全自动方式、非全自动方式
关键部件	进口或国产件