本产品利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，表面上未被掩膜覆盖部分的材料被溅射出，从而达到选择刻蚀的目的，它采用纯物理的刻蚀原理。离子束刻蚀是绝大部分刻蚀方法中分辨率最高，陡真性最好的方法，它可以对决大部分材料进行刻蚀，例如：金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等。

本产品采用φ150mm口径考夫曼型离子源，通过独特结构的双钼栅离子光学系统及SHAG技术，保证在φ100mm范围内束流的均匀性为±5%，电子中和系统可使样片上的电荷积累为零。本设备的刻蚀工作台可绕工件中心自转，离子束射角可在0～90之间任意调整。

本设备具有刻蚀速率稳定、均匀性好、重复性好等特点，可广泛应用于微电子、光电子、通讯等领域的器件研发和制造。

型号	IBE-150B
真空系统	分子泵机组
刻蚀室数量	单刻蚀室
工作台尺寸	ø430×350×430mm
离子束入射角	0～90°之间任意调整
刻蚀速率	100Å～200Å/min（与刻蚀材料和工艺有关）
刻蚀不均匀性	≤±5%
Ar+离子能量范围	100～1000eV，连续可调
离子束流密度	0～1mA/cm2，连续可调
有效离子束直径	≥ø100mm（屏栅极直径ø150mm）
电子中和	带有热丝结构的电子中和装置
控制方式	手动