本产品可用来淀积SiN、SiO、非晶硅、碳化硅、类金刚石等多种薄膜材料，这些薄膜材料在微电子、微机械、光电子、通讯等领域有着广泛的应用；在能源材料、机械材料、各种无机材料及高分子材料的薄膜制备和表面改性中，也显示出独特的功能和巨大的潜力。

本产品通过对工艺的有效控制，可获得较好的均匀性、粘附性以及较好的重复性，并广泛应用于相关领域的器件研发和制造。

型号	PECVD - 1D	PECVD - 2D
真空系统	分子泵机组
淀积室数量	单室	双室
样片尺寸	8英寸
加热温度	≤ 400℃
控温精度	±1%
淀积不均匀性	≤ ±5%
淀积材料	SiO、SiN、非晶硅、碳化硅、类金刚石等
淀积速率	200～600Å/min(与淀积材料和工艺有关)