全自动型等离子体化学气相淀积台(PECVD)
      • 本产品可用来淀积SiO、SiN、非晶硅、碳化硅、类金刚石等多种薄膜材料,这些薄膜材料在微电子、微机械、光电子、通讯等领域有着广泛的应用。在能源材料、机械材料、各种无机材料及高分子材料的薄膜制备和表面改性中,也显示出独特的功能和巨大的潜力。
      • 本产品是全自动化设备,设备通过对真空系统、工作压强、功率加载、射频电源匹配、气体流量及工艺过程的全自动控制,使工艺的重复性、稳定性得到有效保证。本设备的数字化参数界面和自动化操作方式为用户提供了优良的研发和生产平台。
      • 本产品通过软、硬件相互配合的互锁、智能监控、在线状态记忆、断点保护等设计,结合各种硬保护装置、使设备的安全性、可靠性得到有效保证。
      • 本设备主要用于微电子、光电子、通讯、微机械、新材料、能源等领域的器件研发和制造,以及能源材料、机械材料、各种无机材料及高分子材料的薄膜制备和表面改性。
      • 本产品非常适合于科研院所、大专院校、小型生产企业的科研、教学与生产活动。
      • 型号 PECVD-801/802/1201
        淀积室数量 单室、双室
        样片尺寸 8英寸、12英寸
        加热温度 ≤ 400℃
        淀积不均匀性 ≤ ±5%
        淀积材料 SiO、SiN、非晶硅、碳化硅、类金刚石等
        淀积速率 200~600Å/min(与淀积材料和工艺有关)
        均匀区 ø200mm;ø300mm;
        自动化程度 真空系统、压强控制、功率加载、射频电源匹配、气体流量控制、工艺过程自动化
        人机界面 Windows环境、触摸屏操作
        操作方式 全自动方式、非全自动方式
        关键部件 进口或国产件