欢迎光临北京创世威纳科技有限公司官方网站!

北京创世威纳科技有限公司

Beijing Chuangshiweina Technology Co., LTD.

产品中心


联系我们

总机:010-62907051

          010-62907049


销售:010-62907051转801/802/830


售后:010-62907051转837


人事:010-62907051转821



离子束刻蚀机

MIBE-150/200B型: 负角度片状+棒状样品刻蚀,冷态中和系统,刻蚀大尺寸样品

名称:MIBE-150/200B型: 负角度片状+棒状样品刻蚀,冷态中和系统,刻蚀大尺寸样品

详细信息

应用方向:科研与小批量生产

产品优势:负角度片状+棒状样品刻蚀,冷态中和系统,刻蚀大尺寸样品

产品配置:

离子源种类:考夫曼离子源

离子源口径:Φ150mm/Φ220mm

中和方式:灯丝、冷态等离子体桥

样片数量及尺寸:1片Φ200mm样品/1片Φ250mm样品

刻蚀材料:包括并不限于硅、石英、Ⅲ-Ⅴ族化合物、合金、陶瓷等。

刻蚀腔体:高真空系统

刻蚀不均匀性:±3%-±6%

刻蚀速率:10-500nm/min(视具体材料与工艺)

工作台:可旋转,可自传,可调距离,包含水冷

工艺气路:1-2路

束流检测:法拉第筒在线检测

终点检测控制:可选配质谱仪

操作模式:全自动+半自动控制

类似产品:考夫曼离子源片状样品刻蚀(MIBE-150/200A)

设备详细结构与功能,请咨询销售工程师。

联系我们


北京创世威纳科技有限公司

地址:北京市昌平区回龙观

座机:010-62907051转801/802/830

传真:010-62999722

邮箱:chuangshiweina@sina.com

大学科研教学设备销售顾问:

初经理 13264560630

王经理 13439433628

研究所、企业研发、生产设备及各类特种需求、前沿技术类设备销售顾问:

王总经理 13910555133


官方微信公众平台

官方微信公众平台

版权所有 @ 2019 北京创世威纳科技有限公司 备案号: 京ICP备09010696号-1